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型号： MRFE6S9060NR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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MRFE6S9060NR1产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9060NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9060NR1价格参考￥387.30-￥395.19。Freescale SemiconductorMRFE6S9060NR1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 450mA 880MHz 21.1dB 14W TO-270-2。您可以下载MRFE6S9060NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9060NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 的 MRFE6S9060NR1 是一款高性能的射频功率 MOSFET 晶体管，属于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术产品，广泛应用于高频率、高功率的射频放大场合。其主要应用场景包括：

1. 广播发射系统：适用于 FM 广播发射机中的高功率射频放大，支持 88–108 MHz 频段，具备高效率和良好的线性度，适合大范围音频信号覆盖。

2. 工业、科学和医疗（ISM）频段设备：用于 900 MHz 左右的 ISM 频段，如射频加热、等离子发生器、工业感应加热和医疗射频治疗设备，提供稳定可靠的功率输出。

3. 无线基础设施：可用于蜂窝通信基站的后端功率放大，尤其适用于 EDGE、GSM 等调制技术，在宏蜂窝和微蜂窝基站中提升信号覆盖与传输质量。

4. 航空与国防领域：适用于雷达系统、电子战设备和高频通信系统，满足对高可靠性、宽温度范围和强抗干扰能力的要求。

MRFE6S9060NR1 具有高增益、高效率和出色的热稳定性，采用坚固的陶瓷封装（NR1），适合在严苛环境下长时间运行。其设计便于阻抗匹配，简化了射频电路布局，是高性能射频功率放大的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 14W TO270-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFE6S9060NR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270-2
其它名称	MRFE6S9060NR1CT
功率-输出	14W
包装	剪切带（CT）
噪声系数	-
增益	21.1dB
封装/外壳	TO-270AA
晶体管类型	LDMOS
标准包装	1
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Freescale/MRFE6S9060NR1.html
电压-测试	28V
电压-额定	66V
电流-测试	450mA
频率	880MHz
额定电流	10µA