Datasheet下载- 型号： AFT27S006NT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT27S006NT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT27S006NT1价格参考。Freescale SemiconductorAFT27S006NT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT27S006NT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT27S006NT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT27S006NT1 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频MOSFET晶体管，主要用于高频、高效率的射频功率放大应用。该器件基于硅双极互补金属氧化物半导体（SiC BJT）工艺技术，具有良好的热稳定性和高功率密度，适用于工作频率在26 MHz至30 MHz范围内的射频系统。 典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频能量加热系统、等离子发生器、射频激励源以及感应加热设备。此外，AFT27S006NT1也广泛应用于广播发射机中的射频功率放大级，特别是在AM和HF波段通信系统中，提供高效、稳定的信号放大能力。 由于其具备高击穿电压、优异的跨导特性和良好的线性度，该器件还适合用于需要高可靠性和长时间连续运行的工业射频电源系统。其紧凑的封装形式（SOT-502）有助于简化散热设计并节省电路板空间，便于集成到高密度射频模块中。 综上所述，AFT27S006NT1主要应用于工业加热、射频能源、广播发射及各类ISM频段射频功率放大系统，特别适合对效率、稳定性和耐用性要求较高的环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF NCH 65V 2690MHZ PLD1.5W |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT27S006NT1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5W-2 |
| 功率-输出 | 28.8dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5W-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 70mA |
| 频率 | 728MHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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