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型号： BLL6H1214-500,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLL6H1214-500,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLL6H1214-500,112价格参考。NXP SemiconductorsBLL6H1214-500,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLL6H1214-500,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLL6H1214-500,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc.生产的BLL6H1214-500,112是一款射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频场景，具体应用场景包括：

1. 无线通信基站：用于4G/5G基站中的功率放大器（PA），提供高效的射频信号放大，支持宽带通信。

2. 广播系统：适用于AM/FM广播发射机，用于增强信号覆盖范围和质量。

3. 雷达系统：在军事或民用雷达中，作为功率放大器的核心组件，提升探测距离和精度。

4. 工业、科学与医疗（ISM）设备：如微波加热设备、等离子体发生器等，用于高效能量转换。

5. 卫星通信：用于地面站或卫星终端的射频功率放大，确保信号传输稳定可靠。

6. 航空电子设备：为飞机导航、通信系统提供高性能射频信号处理能力。

7. 测试与测量仪器：用于信号发生器、频谱分析仪等设备，支持高频率和大动态范围测试。

该器件具有高功率输出、高效率和良好线性度的特点，适合需要高可靠性、宽频带操作的应用环境。其设计优化了热管理和电气性能，能够在严苛条件下长期运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS L-BAND RADAR LDMOS SOT539A
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLL6H1214-500,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT539A
其它名称	568-7559 934063284112 BLL6H1214-500,112-ND BLL6H1214500112
功率-输出	500W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	17dB
封装/外壳	SOT539A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	50V
电压-额定	100V
电流-测试	150mA
频率	1.2GHz ~ 1.4GHz
额定电流	72A