ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQA28N50
Datasheet下载- 型号： FQA28N50
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA28N50由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA28N50价格参考。Fairchild SemiconductorFQA28N50封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN。您可以下载FQA28N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA28N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA28N50是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于高电压、大电流的场效应晶体管，广泛应用于需要高效开关性能和高耐压能力的电力电子系统中。 该器件的主要应用场景包括：开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业电源模块，其500V的漏源击穿电压和28A的大电流承载能力适合高压输入环境下的高效转换；逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），用于DC-AC转换中的功率开关，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提升系统效率；电机驱动领域，适用于工业电机控制、电动工具及家用电器中的马达驱动电路，提供可靠且响应迅速的功率控制；此外，还常用于照明电源，如高强度放电灯（HID）镇流器和LED驱动电源，支持高启动电压和稳定工作需求。 FQA28N50凭借其优良的热稳定性和耐用性，在高温、高负载环境下仍能保持稳定性能，因此在工业控制、能源转换和电源管理等要求严苛的应用中备受青睐。其TO-3PN封装形式也利于散热设计，便于集成于各类功率模块中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQA28N50 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 14.2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28.4A （Tc） |
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