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Datasheet下载- 型号： FDC642P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDC642P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC642P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC642P价格参考。Fairchild SemiconductorFDC642P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 20V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6。您可以下载FDC642P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC642P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDC642P是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于低电压、低功耗的电子系统中。其主要应用场景包括便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电源管理开关、电池保护电路及负载开关控制，因其低导通电阻（RDS(on)）和小封装尺寸，有助于提升能效并节省PCB空间。 此外，FDC642P也适用于各类消费类电子设备中的信号切换和电平转换电路，例如在I²C、GPIO等数字接口中作为电平转换器使用。由于其具备良好的开关特性和静电防护能力，适合在噪声环境中稳定工作。该器件还常见于电源多路复用、热插拔控制以及LED驱动等低压直流应用中。 FDC642P采用1.8V至4.5V的栅极驱动电压，兼容低电压逻辑信号，适合由微控制器直接驱动，无需额外电平转换电路，简化设计。其SOT-363（SC-88）小型封装，便于高密度布局，是空间受限应用的理想选择。 综上，FDC642P凭借其低功耗、高效率和紧凑封装，广泛应用于移动设备、物联网终端、智能家居模块及其他需要高效开关控制的低功率系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6MOSFET SSOT-6 P-CH -20V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC642PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC642P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 925pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC642PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
| 系列 | FDC642P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDC642P_NL |
