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Datasheet下载- 型号： CSD19506KCS
- 制造商： Texas Instruments
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CSD19506KCS产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19506KCS由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19506KCS价格参考￥30.27-￥41.18。Texas InstrumentsCSD19506KCS封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 80V 100A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3。您可以下载CSD19506KCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD19506KCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments 的 CSD19506KCS 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于高效率电源转换系统中。其主要应用场景包括： 1. DC-DC 转换器：适用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流降压（Buck）转换器，提供高效能与低导通损耗。 2. 负载开关与电源管理：可用于控制电源分配，实现快速开关与低静态功耗，适合便携式设备与电池供电系统。 3. 马达驱动电路：在小型电机或风扇控制中作为功率开关，具备良好热稳定性与耐用性。 4. LED 照明驱动：用于恒流 LED 驱动电路中，支持调光功能并提高能效。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（60V）与优良热性能，采用 8 引脚 SOIC 封装，便于 PCB 布局与散热设计，广泛应用于高效能、小体积电源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V TO-220-3MOSFET 80V N-CH Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 273 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19506KCSNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD19506KCS |
| Pd-PowerDissipation | 375 W |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12200pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 156nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 296-37169-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19506KCS |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 297 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/csd19506kcs-power-mosfet/52679 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A（Ta） |
| 系列 | CSD19506KCS |
| 配置 | Single |
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