Datasheet下载- 型号： IRFH7936TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7936TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7936TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH7936TR2PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH7936TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH7936TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFH7936TR2PBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的 MOSFET 以其低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的效率而闻名，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 直流-直流转换器 IRFH7936TR2PBF 常用于 DC-DC 转换器中，作为主功率开关或同步整流器的一部分。其低 Rds(on) 特性能够减少导通损耗，从而提高整体转换效率。 2. 电机驱动 该器件适用于小型电机驱动应用，例如无刷直流电机（BLDC）或步进电机驱动器。其快速开关能力和低导通电阻有助于实现高效且可靠的电机控制。 3. 电源管理 在便携式设备、笔记本电脑适配器或其他消费电子产品的电源管理系统中，IRFH7936TR2PBF 可用作负载开关或保护开关，以实现高效的电源分配和管理。 4. 太阳能逆变器 该 MOSFET 可用于微型逆变器或优化器中，帮助将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其高性能特性支持更高的能量转换效率。 5. 电动工具 在电动工具中，IRFH7936TR2PBF 可用于功率级电路，提供高效的功率传输和控制，同时保持较低的发热水平。 6. 汽车电子系统 由于其可靠性与性能，该器件也适用于汽车电子中的各种应用，如车身控制模块、电动车窗控制器或座椅调节系统。 7. 不间断电源（UPS） 在 UPS 系统中，该 MOSFET 可用于逆变器或充电器电路，确保在市电中断时提供稳定的备用电源输出。 总结来说，IRFH7936TR2PBF 的低 Rds(on)、高电流处理能力和快速开关特性使其成为高效功率转换和控制的理想选择，广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子和可再生能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56MOSFET MOSFT 30V 20A 4.8mOhm 17nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7936TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH7936TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2360pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH7936TR2PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.8 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 48 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta）， 54A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh7936pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh7936pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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