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Datasheet下载- 型号： TPC8110(TE12L,Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPC8110(TE12L,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC8110(TE12L,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC8110(TE12L,Q,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPC8110(TE12L,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPC8110(TE12L,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPC8110(TE12L,Q,M)是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），常用于低电压、高效率的开关应用。该器件采用小型封装（如SOP-8），具备低导通电阻（RDS(on)）和良好的热稳定性，适合在便携式电子设备中使用。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的电池电源开关或负载开关，实现对电源路径的高效控制，降低功耗。 2. DC-DC转换器：作为同步整流或开关元件，用于升压（Boost）或降压（Buck）转换电路，提高电源转换效率。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，常见于消费类电子产品中的微型马达控制。 4. LED背光驱动：在液晶显示屏的背光电路中作为开关元件，实现亮度调节与节能控制。 5. 过流保护电路：配合控制器用于电子保险丝或热插拔电路，提供短路和过载保护功能。 由于TPC8110具有快速开关特性与低栅极电荷，响应速度快，能有效减少开关损耗，因此特别适合高频工作的便携式和高密度集成设备。其稳定性和可靠性也使其在工业控制、家用电器和物联网设备中得到广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TPC8110&lang=en&type=datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPC8110(TE12L,Q,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2180pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP（5.5x6.0） |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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