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详细数据请看参考数据手册

型号： IRF7805PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7805PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7805PBF价格参考。International RectifierIRF7805PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7805PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7805PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF7805PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下几个方面：

1. 电源管理：IRF7805PBF常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。它具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够高效地进行电流切换，减少功率损耗，提高电源转换效率。

2. 电机驱动：该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过控制栅极电压，可以实现对电机转速和方向的精确控制，广泛应用于消费电子、家用电器及工业自动化领域。

3. 负载开关：在需要频繁开启和关闭负载的应用中，如USB充电器、笔记本电脑和其他便携式设备，IRF7805PBF可以用作高效的负载开关，确保系统稳定运行并节省能源。

4. 保护电路：由于其内置的过温保护和短路保护功能，IRF7805PBF可以在设计保护电路时提供额外的安全保障，防止因过载或异常情况导致的损坏。

5. 音频放大器：在某些高性能音频放大器设计中，IRF7805PBF可用作输出级晶体管，提供大电流输出能力，同时保持较低的失真度，提升音质表现。

6. 通信设备：在无线基站、路由器等通信设备中，IRF7805PBF可用于射频前端模块中的开关应用，帮助实现信号路径的选择与切换，保证通信链路的可靠性和稳定性。

总之，IRF7805PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种电子设备和系统中发挥着重要作用，是工程师们进行电路设计时的理想选择之一。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 22nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	13 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7805PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7805PBF
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-栅极电荷	22 nC
RdsOn-漏源导通电阻	11 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	20 ns
下降时间	16 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	31nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	11 毫欧 @ 7A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
典型关闭延迟时间	38 ns
功率-最大值	2.5W
功率耗散	2.5 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	11 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	95
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	22 nC
标准包装	95
汲极/源极击穿电压	30 V
漏极连续电流	13 A
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	13A （Ta）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7805.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7805.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source
闸/源击穿电压	12 V