ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDP2552
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP2552由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP2552价格参考。Fairchild SemiconductorFDP2552封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 150V 5A(Ta),37A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP2552参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP2552 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDP2552是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: - FDP2552广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)和电池充电电路中。其低导通电阻(Rds(on))可以减少传导损耗,提高效率,特别适合需要高效能和小尺寸设计的便携式设备。 2. 电机驱动: - 在小型电机驱动应用中,如无人机、电动工具、家用电器等,FDP2552可以作为功率开关,控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗有助于提升系统的响应速度和能效。 3. 负载开关: - 用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等消费电子产品的负载开关。FDP2552能够快速切换负载状态,保护电路免受过流和短路的影响,同时确保系统在待机模式下的低功耗。 4. 电池保护: - 在锂电池管理系统(BMS)中,FDP2552可以用作电池保护开关,防止电池过充、过放和短路。其低导通电阻减少了电池内部的发热,延长了电池寿命。 5. 通信设备: - 在基站、路由器和其他通信设备中,FDP2552可用于电源管理和信号调理电路。其高可靠性和稳定性确保了通信设备在各种环境下的正常运行。 6. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车身控制模块(BCM)、LED照明驱动和辅助驾驶系统中,FDP2552可以作为功率开关,提供高效的电源管理和保护功能。其符合AEC-Q101标准,确保了在严苛的汽车环境中的可靠性。 7. 工业自动化: - 在工业控制系统、传感器接口和PLC(可编程逻辑控制器)中,FDP2552可以用于信号隔离和功率控制,确保系统的稳定性和安全性。 总的来说,FDP2552凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于广泛的电力电子应用,特别是在需要高效能和紧凑设计的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 37A TO-220ABMOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP2552PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP2552 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | FDP2552-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta), 37A (Tc) |
| 系列 | FDP2552 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDP2552_NL |