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产品简介:
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HUFA75545P3 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合用于以下应用场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源模块。 2. 电机驱动:可用于直流电机、步进电机的驱动电路,适用于工业自动化、机器人和电动工具等领域。 3. 电池管理系统(BMS):作为高侧或低侧开关,用于锂电池保护电路、充放电控制等。 4. 照明系统:如LED驱动电路,用于汽车照明、工业照明或智能照明系统中的功率控制。 5. 汽车电子:由于其高可靠性和温度稳定性,适用于车载电源、电机控制和车身控制系统等场景。 6. 消费类电子产品:如电源适配器、充电器、智能插座等,用于实现高效的功率控制和节能功能。 该MOSFET采用DPAK封装,便于散热和安装,适合中高功率应用。设计时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制,确保在安全工作区内运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75545P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 235nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 75A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 270W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |