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  • 型号: HUFA75545P3
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75545P3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75545P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75545P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUFA75545P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUFA75545P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUFA75545P3 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合用于以下应用场景:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源模块。

2. 电机驱动:可用于直流电机、步进电机的驱动电路,适用于工业自动化、机器人和电动工具等领域。

3. 电池管理系统(BMS):作为高侧或低侧开关,用于锂电池保护电路、充放电控制等。

4. 照明系统:如LED驱动电路,用于汽车照明、工业照明或智能照明系统中的功率控制。

5. 汽车电子:由于其高可靠性和温度稳定性,适用于车载电源、电机控制和车身控制系统等场景。

6. 消费类电子产品:如电源适配器、充电器、智能插座等,用于实现高效的功率控制和节能功能。

该MOSFET采用DPAK封装,便于散热和安装,适合中高功率应用。设计时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制,确保在安全工作区内运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

HUFA75545P3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

UltraFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3750pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

235nC @ 20V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 75A,10V

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

270W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

400

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

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