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FDMS7678产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS7678由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS7678价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS7678封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 17.5A(Ta),26A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS7678参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS7678 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS7678 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高能效并减小电路体积。 2. 电机控制:在直流电机或步进电机驱动电路中作为功率开关,实现调速与方向控制。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板及便携式仪器,用于低导通电阻与低功耗设计。 4. 工业自动化:在PLC、传感器模块和工业电源中提供可靠开关性能。 5. 汽车电子:用于车载充电系统、LED照明驱动及电动助力转向等场景。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和紧凑封装,适合高频开关与空间受限的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 17.5A POWER56MOSFET 30V/20V N-Ch PowerTrench SyncFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 17.5 A |
Id-连续漏极电流 | 17.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS7678PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMS7678 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 41 W |
Pd-功率耗散 | 41 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2410pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 17.5A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Power56 |
其它名称 | FDMS7678CT |
功率-最大值 | 2.3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 90 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 5.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | Power 56-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 17.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17.5A (Ta), 26A (Tc) |
系列 | FDMS7678 |