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  • 型号: HUF75345S3ST
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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HUF75345S3ST产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75345S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75345S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75345S3ST封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 325W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载HUF75345S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75345S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUF75345S3ST 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电源管理和功率控制领域。其主要应用场景包括:

1. 电源转换器与DC-DC变换器:适用于高效能、高频开关的电源转换系统,如笔记本电脑适配器、服务器电源模块等。

2. 负载开关与电机驱动:用于控制高电流负载的通断,如直流电机、继电器及电磁阀等工业自动化设备。

3. 电池管理系统:在电动工具、电动车及储能系统中作为充放电控制开关,具备低导通电阻和高效率优势。

4. 同步整流电路:在反激式或正激式开关电源中替代传统二极管进行同步整流,提升整体效率。

5. LED照明驱动:用于大功率LED灯串的恒流控制与开关调光应用。

该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(Vds达30V)及优异热性能,适合需要紧凑设计与高效能的小型化电子产品使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAKMOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75345S3STUltraFET™

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产品型号

HUF75345S3ST

Pd-PowerDissipation

325 W

Pd-功率耗散

325 W

RdsOn-漏源导通电阻

6 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

118 ns

下降时间

26 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

275nC @ 20V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263AB

其它名称

HUF75345S3STDKR

典型关闭延迟时间

42 ns

功率-最大值

325W

包装

Digi-Reel®

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

6 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

75 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

系列

HUF75345

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

HUF75345S3ST_NL

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