Datasheet下载- 型号： NTD6416ANL-1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD6416ANL-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD6416ANL-1G价格参考。ON SemiconductorNTD6416ANL-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD6416ANL-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD6416ANL-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD6416ANL-1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - NTD6416ANL-1G 的低导通电阻（Rds(on) = 25 mΩ @ Vgs = 10V）使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频下高效切换，减少能量损耗。 - 应用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中，作为主开关或同步整流元件。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路，提供高效的电流控制和快速的开关性能。 - 在 H 桥电路或无刷直流电机 (BLDC) 驱动器中，NTD6416ANL-1G 可以实现精确的速度和方向控制。 3. 负载开关 - 在需要动态控制电流的应用中，如便携式电子设备、USB 充电器等，可以用作负载开关，实现快速开启和关闭功能。 - 它的低导通电阻有助于降低功耗并提高效率。 4. 电池管理 - 在电池管理系统 (BMS) 中，此 MOSFET 可用于保护电路，防止过流、短路或反向电压等问题。 - 适用于锂离子电池组或其他可充电电池系统的充放电路径控制。 5. 逆变器 - 在小型光伏逆变器或 UPS 系统中，NTD6416ANL-1G 可用于将直流电转换为交流电，提供稳定的输出波形。 6. 汽车电子 - 由于其良好的电气特性和可靠性，这款 MOSFET 还可用于汽车电子系统中，例如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等。 总结 NTD6416ANL-1G 凭借其出色的性能参数（如低 Rds(on)、高电流能力、宽工作电压范围），广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。它的高效率和耐用性使得它成为许多电力电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 19A IPAKMOSFET NFET DPAK 100V 15A 86MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD6416ANL-1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD6416ANL-1G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 71 W |
| Pd-功率耗散 | 71 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 74 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 74 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 74 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | NTD6416ANL-1G-ND |
| 功率-最大值 | 71W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 74 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 19 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
| 配置 | Single |
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