Datasheet下载- 型号： SI1070X-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1070X-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1070X-T1-E3价格参考。VishaySI1070X-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1070X-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1070X-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1070X-T1-E3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.8V逻辑电平兼容设计，适用于低电压、高效率的电源管理场景。其主要应用场景包括便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，用于电池供电系统的电源开关与负载管理。该器件具备低导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗，提升能效，特别适合对功耗敏感的应用。 SI1070X-T1-E3常用于直流-直流（DC-DC）转换器、电压反转电路及电源多路复用等电路中，也可作为高端或低端开关控制元件。由于其小型化封装（如SOT-23），节省PCB空间，非常适合高密度布局的消费类电子产品。此外，该MOSFET还广泛应用于笔记本电脑的待机电源管理、USB端口的过流保护以及各类低电压逻辑控制开关电路中。 凭借Vishay Siliconix在半导体领域的可靠性与稳定性，SI1070X-T1-E3在工业控制、通信模块及便携医疗设备中也有广泛应用，是现代低功耗电子系统中理想的开关元件选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1070X-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.55V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 385pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 99 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 其它名称 | SI1070X-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 236mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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