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产品简介:
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型号为FDPF680N10T的ON Semiconductor MOSFET,主要应用于电源管理和功率转换领域。这款器件是N沟道增强型MOSFET,具备高耐压(100V)和大电流承载能力(约680A),适用于需要高效能与稳定性的场景。 典型应用场景包括: 1. DC-DC转换器:用于服务器、通信设备及工业电源中的升压或降压电路,实现高效的能量转换。 2. 同步整流:在开关电源(SMPS)中替代传统二极管,提高效率并减少发热。 3. 电机驱动:用于电动工具、工业自动化设备或电动车中的电机控制模块,提供快速开关和低导通损耗。 4. 电池管理系统(BMS):在储能系统或电动汽车中作为充放电控制开关使用。 5. 负载开关与电源管理:用于高电流负载的通断控制,如服务器电源、UPS(不间断电源)等。 该MOSFET采用TO-263封装,适合表面贴装,具有较低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗并提升系统效率。其高可靠性和热稳定性也使其适用于高温环境下的工业级应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 12A TO-220FMOSFET N-Ch PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF680N10TPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF680N10T |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 24 W |
| Pd-功率耗散 | 24 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 68 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 68 毫欧 @ 6A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 24W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 68 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 26 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
| 系列 | FDPF680N10T |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |