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SI7386DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7386DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7386DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7386DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7386DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7386DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7386DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制和低导通电阻的应用中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电池管理系统,实现高效的充放电控制。 2. 负载开关:在各类电子设备中作为高侧或低侧开关,用于控制外围设备的供电,如 USB 设备、显示屏背光等。 3. 电机驱动与继电器替代:用于小型电机、电磁阀等负载的控制,取代传统机械继电器,提高系统可靠性和寿命。 4. DC-DC 转换器:在同步整流电路中作为高效率开关元件,提升转换效率,适用于通信设备、工业控制系统等。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明控制、传感器供电管理等场景,满足汽车环境对可靠性和温度范围的要求。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、小封装尺寸(如 PowerPAK SO-8),适合空间受限且要求高性能的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 19 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73108 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7386DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7386DP-T1-GE3SI7386DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 5 W |
Pd-功率耗散 | 5 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 9 ns |
下降时间 | 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 19A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SI7386DP-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 7 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 19 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7386DP-GE3 |