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Datasheet下载- 型号： SIHP15N60E-E3
- 制造商： Vishay
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SIHP15N60E-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP15N60E-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP15N60E-E3价格参考。VishaySIHP15N60E-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB。您可以下载SIHP15N60E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHP15N60E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHP15N60E-E3 是一款 N 沱增强型功率 MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源 (SMPS)：该器件适用于各种开关模式电源设计，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其 600V 的高击穿电压使其能够承受较高的输入电压，适合工业和消费类电源应用。 2. 电机驱动：SIHP15N60E-E3 可用于控制小型直流电机或步进电机的运行。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功耗并提高效率，特别适合家用电器、电动工具和其他需要高效能驱动的应用。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，这款 MOSFET 可以用作高频开关元件，帮助实现高效的电能转换。 4. PFC（功率因数校正）电路：由于其出色的电气特性，该器件非常适合用于提升功率因数的 Boost 电路中，确保设备满足国际能效标准。 5. 负载切换与保护：可用于电池管理系统中的负载切换以及过流保护功能，保障系统的稳定性和安全性。 6. 不间断电源 (UPS)：作为关键组件之一，在 UPS 系统里执行能量存储及释放任务，提供可靠的备用电源支持。 总之，凭借其高耐压能力、较低的导通损耗以及快速开关速度等优势，SIHP15N60E-E3 广泛应用于需要高性能功率管理的各种电子系统之中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220ABMOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHP15N60E-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHP15N60E-E3SIHP15N60E-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 180 W |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | SIHP15N60EE3 |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 4.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
