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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD5865NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD5865NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD5865NT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD5865NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD5865NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD5865NT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理电路,因其导通电阻低、效率高,适合高效能电源设计。 2. 电机控制:用于电机驱动电路中,作为功率开关控制电机的启停与转速,常见于电动工具、无人机、机器人等设备。 3. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源开关与功率调节模块。 4. 工业自动化:在工业控制系统中用于继电器驱动、传感器电源控制、PLC模块中的开关电路。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动、车载充电器等场景,具备良好的温度稳定性和可靠性。 该MOSFET采用TSOP封装,体积小、散热好,适合高密度PCB布局,是一款通用性强、性价比高的功率开关器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAKMOSFET Single N-CH 60V 38A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 38 A |
Id-连续漏极电流 | 38 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD5865NT4G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTD5865NT4G |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 52 W |
Pd-功率耗散 | 52 W |
Qg-GateCharge | 23 nC |
Qg-栅极电荷 | 23 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1261pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | NTD5865NT4GOSDKR |
功率-最大值 | 52W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 6.9 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 43A (Tc) |
配置 | Single |