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  • 型号: DMC3028LSD-13
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMC3028LSD-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC3028LSD-13价格参考。Diodes Inc.DMC3028LSD-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 6.6A,6.8A 1.8W 表面贴装 8-SO。您可以下载DMC3028LSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMC3028LSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SOMOSFET MOSFET SOP-8L

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

7.1 A

Id-连续漏极电流

7.1 A, 7.4 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMC3028LSD-13-

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产品型号

DMC3028LSD-13

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1.3 W

Pd-功率耗散

1.3 W

Qg-GateCharge

5.2 nC, 16.4 nC

Qg-栅极电荷

5.2 nC, 16.4 nC

RdsOn-漏源导通电阻

0.045 Ohms, 0.041 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V, 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

3.1 nS, 4.9 nS

下降时间

9.7 ns, 28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

472pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 6A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

DMC3028LSD-13DITR
DMC3028LSD13

典型关闭延迟时间

14 nS, 44 nS

功率-最大值

1.8W

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

12 S, 18.6 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.6A, 6.8A

系列

DMC3028L

配置

Complementary

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