数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFQ10N80P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFQ10N80P价格参考。IXYSIXFQ10N80P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFQ10N80P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFQ10N80P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFQ10N80P是一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于需要高效功率转换和控制的场合。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等电源系统,因其高耐压(800V)和良好的导通特性,适合高压输入环境。 2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具、家电电机等的驱动电路中,提供快速开关和低损耗性能。 3. 照明系统:如LED驱动电源、高压气体放电灯(HID)镇流器,适合对效率和热稳定性要求高的场合。 4. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中用于电能转换,支持高频率开关操作,有助于减小变压器和电感体积。 5. 工业控制:如PLC输出模块、继电器替代、负载开关等,具备高可靠性和长寿命优势。 该MOSFET采用TO-247封装,便于散热和安装,适合高功率密度设计。使用时需注意栅极驱动电压和散热设计,以确保稳定工作。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFQ10N80P |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PolarHV™ HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 2.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2050pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.1 欧姆 @ 5A,10V |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |