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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PHD55N03LTA,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHD55N03LTA,118价格参考。NXP SemiconductorsPHD55N03LTA,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHD55N03LTA,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHD55N03LTA,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为PHD55N03LTA,118的MOSFET由NXP USA Inc.生产,适用于多种电子设备和系统。该器件是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和高电流承载能力,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:在DC-DC转换器和电源调节电路中,该MOSFET用于高效能开关操作,提高系统能效。 2. 电机控制:用于电动工具、家电和工业设备中的电机驱动电路,实现精确的速度和扭矩控制。 3. 负载开关:作为高侧或低侧开关,用于控制电池供电设备中的电源分配,如笔记本电脑和移动设备。 4. 照明系统:应用于LED驱动电路,提供稳定的电流控制,适用于汽车照明和高亮度LED应用。 5. 消费电子产品:如电源适配器、充电器和智能家电,以实现紧凑设计和高效能表现。 6. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)和自动化设备中,用于高频率开关和功率控制。 该MOSFET具备高可靠性和耐用性,适合在较宽温度范围内稳定运行,广泛适用于中高功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 55A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PHD55N03LTA,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 934056764118 |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 55A (Tc) |