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  • 型号: PHD55N03LTA,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PHD55N03LTA,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHD55N03LTA,118价格参考。NXP SemiconductorsPHD55N03LTA,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHD55N03LTA,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHD55N03LTA,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为PHD55N03LTA,118的MOSFET由NXP USA Inc.生产,适用于多种电子设备和系统。该器件是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和高电流承载能力,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理系统:在DC-DC转换器和电源调节电路中,该MOSFET用于高效能开关操作,提高系统能效。  
2. 电机控制:用于电动工具、家电和工业设备中的电机驱动电路,实现精确的速度和扭矩控制。  
3. 负载开关:作为高侧或低侧开关,用于控制电池供电设备中的电源分配,如笔记本电脑和移动设备。  
4. 照明系统:应用于LED驱动电路,提供稳定的电流控制,适用于汽车照明和高亮度LED应用。  
5. 消费电子产品:如电源适配器、充电器和智能家电,以实现紧凑设计和高效能表现。  
6. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)和自动化设备中,用于高频率开关和功率控制。  

该MOSFET具备高可靠性和耐用性,适合在较宽温度范围内稳定运行,广泛适用于中高功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 55A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PHD55N03LTA,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

950pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

DPAK

其它名称

934056764118
PHD55N03LTA /T3
PHD55N03LTA /T3-ND

功率-最大值

85W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

55A (Tc)

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