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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI34P10TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI34P10TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI34P10TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQI34P10TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQI34P10TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI34P10TU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,主要应用于需要高效功率管理的场景。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理系统:适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的直流电源转换与管理,作为负载开关或同步整流器使用。 2. 电机控制:在直流电机驱动器中用于实现高效的开关控制,常见于工业自动化和机器人系统中。 3. 电池供电设备:如便携式电子设备、无人机等,用于电池充放电管理和电源切换,具有低导通电阻,有助于提高能效。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块(如车窗、门锁控制)等对可靠性和效率要求较高的场合。 5. 负载开关应用:因其内阻小、封装紧凑,适合用作高侧或低侧开关,控制大电流负载的通断。 该器件采用TO-252(DPAK)封装,便于散热设计,适用于中高功率应用,具备良好的热稳定性和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQI34P10TU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2910pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 16.75A,10V |
供应商器件封装 | I2PAK |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 33.5A (Tc) |