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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA6N100D2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA6N100D2价格参考。IXYSIXTA6N100D2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTA6N100D2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTA6N100D2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA6N100D2是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于高效率功率转换系统。 该MOSFET主要应用于以下场景: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源模块,用于高效能、高频开关操作。 2. 电机驱动系统:用于工业自动化设备、无刷电机控制、伺服驱动器等,提供快速开关和稳定输出。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中用于直流电转换为交流电的核心开关元件。 4. 照明系统:如LED驱动电源、高频镇流器等,支持高效率和小型化设计。 5. 新能源领域:适用于太阳能逆变器、风能转换系统等可再生能源设备中的功率控制部分。 6. 汽车电子:如车载充电器、电池管理系统(BMS)等高可靠性应用场景。 该器件具备1000V漏源击穿电压和较高的电流承载能力,适合高电压、中等功率的应用环境,且具备良好的抗雪崩能力和热稳定性,适用于要求高可靠性和高效率的工业与电源管理系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAKMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 耗尽模式 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
Id-连续漏极电流 | 6 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTA6N100D2- |
数据手册 | |
产品型号 | IXTA6N100D2 |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Qg-GateCharge | 95 nC |
Qg-栅极电荷 | 95 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 80 ns |
下降时间 | 47 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2650pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 欧姆 @ 3A,0V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263 (IXTA) |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.600 g |
商标 | IXYS |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 2.6 S |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
系列 | IXTA6N100 |