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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF730ASPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF730ASPBF价格参考。VishayIRF730ASPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF730ASPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF730ASPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF730ASPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRF730ASPBF适用于开关电源中的高频开关应用,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。 - 其高耐压能力(最大漏源电压Vds为500V)使其能够承受高压环境,适合用于电源管理模块。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中,该MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 例如,用于家用电器(如风扇、水泵)或工业设备中的直流电机控制。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,将直流电转换为交流电。 - 其低导通电阻(Rds(on)典型值为0.65Ω@Vgs=10V)有助于减少功率损耗,提高效率。 4. 负载开关 - 在需要快速开启和关闭负载的电路中,IRF730ASPBF可以作为高效的负载开关使用。 - 例如,在汽车电子系统中,用于控制车灯、雨刷器等负载的供电。 5. 保护电路 - 可用于过流保护、短路保护等场景。 - 利用其栅极驱动特性,设计保护电路以防止下游设备因过载而损坏。 6. 音频功放 - 在一些音频放大器设计中,该MOSFET可以用作输出级开关元件,提供大电流驱动能力。 - 适用于便携式音响设备或小型功率放大器。 7. 继电器替代 - 在某些应用中,IRF730ASPBF可以用作固态继电器的替代品,实现更快的开关速度和更长的使用寿命。 - 例如,在自动化控制系统中,用于替代传统机械继电器。 总结 IRF730ASPBF凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能,适合应用于开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关、保护电路等多种领域。它特别适用于需要高压、高效能和可靠性的电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAKMOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF730ASPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF730ASPBFIRF730ASPBF |
Pd-PowerDissipation | 74 W |
Pd-功率耗散 | 74 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 22 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 3.3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRF730ASPBF |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 74W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |