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FDMS86252L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS86252L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS86252L价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS86252L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 150V 4.4A (Ta) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)。您可以下载FDMS86252L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS86252L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS86252L是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能MOSFET器件,集成了两个N沟道MOSFET(通常为一个高边和一个低边),属于单封装双管设计,广泛应用于需要高效功率转换的场景。其主要应用场景包括: 1. 同步整流DC-DC转换器:常用于服务器、通信设备和工业电源中的降压型(Buck)转换器,提供高效率和紧凑设计,适用于多相供电系统。 2. 笔记本电脑和主板电源管理:在CPU、GPU及核心电压(Vcore)供电模块中,FDMS86252L凭借低导通电阻(RDS(on))和高开关速度,实现高效能电能转换,降低功耗与发热。 3. 负载点电源(POL):适用于分布式电源架构中的近距离稳压,满足高性能数字IC对动态响应和能效的要求。 4. 电机驱动与电源模块:在小型电机控制或电源模块中作为开关元件,提供快速响应和良好热性能。 该器件采用先进的封装技术(如PowerTrench®和SO-8L双模封装),具备优良的散热性能和可靠性,适合高密度PCB布局。其集成化设计减少了外围元件数量,有助于缩小整体方案尺寸,提升系统稳定性。综合来看,FDMS86252L特别适用于对效率、空间和热性能有较高要求的中低功率电源应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 8-MLPMOSFET 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS86252LPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS86252L |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 46 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| 上升时间 | 1.4 ns |
| 下降时间 | 2.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1335pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 56 毫欧 @ 4.4A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS86252LCT |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 90 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 21 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A (Ta) |
| 系列 | FDMS86252 |