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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFB41N15DPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB41N15DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB41N15DPBF价格参考。International RectifierIRFB41N15DPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFB41N15DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB41N15DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFB41N15DPBF 是一款 N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，因其具有低导通电阻和高效率，有助于提升整体能效并减少发热。 2. 电机驱动：用于直流电机控制、电动工具、电动车及工业自动化设备中的电机驱动电路，具备良好的开关性能和耐压能力。 3. 照明系统：如LED照明驱动电路，支持高频率开关操作，满足高效节能照明需求。 4. 消费类电子产品：如电视、音响设备、充电器等内部电源管理模块中，提供稳定可靠的功率控制。 5. 工业控制设备：用于工业自动化系统中的功率开关控制，如继电器替代、负载开关等。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）以及辅助电机控制等场景，具备良好的温度稳定性和可靠性。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适合中高功率应用场景。其150V耐压和较高额定电流能力，使其在多种中高功率电子系统中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 41A TO-220ABMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 41 A |
| Id-连续漏极电流 | 41 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB41N15DPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB41N15DPBF |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 72 nC |
| Qg-栅极电荷 | 72 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
| 上升时间 | 63 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFB41N15DPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 41A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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