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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR2407TRR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR2407TRR价格参考。International RectifierIRFR2407TRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR2407TRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR2407TRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRFR2407TRR是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效能功率管理的电子设备中。该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制及电池供电设备等场景。 具体应用包括: 1. 电源管理系统:在服务器、通信设备和工业电源中作为高效开关元件; 2. DC-DC转换器:用于提升或降低电压,实现高效能量转换; 3. 马达驱动与负载开关:控制直流马达、电磁阀等负载的通断; 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制与保护; 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源管理模块。 该器件采用TO-252封装,适合表面贴装,具备良好的散热性能,适用于中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR2407TRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru2407.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru2407.spi |