Datasheet下载- 型号： IXFH6N100F
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH6N100F由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH6N100F价格参考。IXYSIXFH6N100F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH6N100F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH6N100F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS-RF 是一家专注于功率半导体器件的公司，其产品广泛应用于高功率和射频领域。型号 IXFH6N100F 是一款由 IXYS-RF 生产的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管，具有高耐压、高频率特性和良好的热稳定性。 应用场景： 1. 射频（RF）放大器：IXFH6N100F 具有良好的高频性能，适用于射频功率放大器，广泛用于通信基站、广播发射设备和无线基础设施中。 2. 工业加热设备：该器件可用于高频感应加热系统，如金属热处理、焊接和熔炼设备中的功率控制部分。 3. 电源转换系统：在高电压 DC-DC 转换器或电源供应器中，作为开关元件使用，适用于需要高效率和高稳定性的工业电源系统。 4. 电机驱动与逆变器：在高电压电机控制、变频器和逆变器系统中，用于实现电能的高效转换与控制。 5. 医疗设备：在需要高精度与稳定性的医疗成像或治疗设备中，作为高频功率开关使用。 该 MOSFET 适合在高电压、高频率环境下工作，具备良好的导通损耗与开关性能，适用于对效率和散热有较高要求的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH6N100F |
| 产品型号 | IXFH6N100F |
| Pd-PowerDissipation | 180 W |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8.6 ns |
| 下降时间 | 8.3 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | IXFH6N100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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