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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3050S-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3050S-7价格参考。Diodes Inc.DMN3050S-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN3050S-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN3050S-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN3050S-7是一款N沟道增强型MOSFET,常用于各种电子设备中进行电源管理和信号切换。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适用于需要高效能和可靠性的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器和电池充电电路中,实现高效的能量传输与调节。 2. 负载开关:在各类电子产品中作为电子开关控制负载的通断,如LED驱动、电机控制和继电器替代。 3. 工业控制:用于工业自动化设备中的功率控制模块,如PLC、传感器和执行器驱动电路。 4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理子系统。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明和辅助电机控制等场景。 DMN3050S-7采用小尺寸封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于对空间和效率有要求的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN3050S-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 5.2A,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DMN3050SDIDKR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.2A (Ta) |