Datasheet下载- 型号： NTD3055-150-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3055-150-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3055-150-1G价格参考。ON SemiconductorNTD3055-150-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3055-150-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3055-150-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3055-150-1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的开关性能，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。 典型应用场景包括：电源管理模块，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器，适用于适配器、工业电源和电信设备；电机驱动电路，用于控制直流电机或步进电机，在工业自动化和消费类电器中表现优异；逆变器和H桥电路，常用于UPS（不间断电源）和电机控制；此外，也适用于电池供电系统中的负载开关与保护电路，提升能效并延长电池寿命。 由于其150V的漏源击穿电压和高电流能力，NTD3055-150-1G适合中高压、中等功率的应用环境，尤其在要求可靠性和热稳定性较高的工业控制、汽车电子辅助系统和照明电源中被广泛采用。其封装形式便于散热设计，进一步增强了在严苛工作条件下的稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3055-150-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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