图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STP10NK60Z
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STP10NK60Z产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP10NK60Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10NK60Z价格参考。STMicroelectronicsSTP10NK60Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP10NK60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP10NK60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STP10NK60Z 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有 600V 的耐压能力,最大连续漏极电流为 10A,适用于多种高电压、中等功率的应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - STP10NK60Z 常用于开关电源的设计中,作为主开关管或同步整流管。其高耐压特性和低导通电阻使其适合于离线式开关电源(如适配器、充电器)以及 DC-DC 转换器。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 可用于中小功率电机的驱动电路中,例如步进电机、直流无刷电机(BLDC)和有刷直流电机。它能够承受电机启动时的浪涌电流,并支持高效的开关操作。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,STP10NK60Z 可用作功率转换的关键元件,实现直流到交流的逆变功能。

 4. 电子负载控制
   - 该器件适用于需要高电压切换的电子负载控制应用,例如电磁阀驱动、继电器驱动和其他工业自动化设备中的负载切换。

 5. 汽车电子
   - 在汽车电子领域,STP10NK60Z 可用于车载电气系统的开关控制,如车灯调节、电动座椅、电动车窗等。其高耐压特性使其能够承受汽车电池电压波动和负载突降(Load Dump)情况。

 6. 家电产品
   - 在家用电器中,如洗衣机、空调、冰箱等,该 MOSFET 可用于压缩机驱动、风扇控制或其他需要高效功率转换的模块。

 7. 保护电路
   - STP10NK60Z 还可用于过流保护、短路保护等电路设计中,确保系统在异常情况下不会因过载而损坏。

 特点总结:
- 高耐压(600V):适合高压环境。
- 低导通电阻(Rds(on) 典型值为 1.9Ω):降低功耗,提高效率。
- 快速开关能力:支持高频应用。
- 小型封装(TO-220 或 DPAK 等):便于 PCB 布局设计。

总之,STP10NK60Z 凭借其优异的性能参数,广泛应用于工业、消费电子、汽车和通信等领域,特别是在需要高电压、中等功率输出的场合表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP10NK60ZSuperMESH™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STP10NK60Z

Pd-PowerDissipation

115 W

Pd-功率耗散

115 W

Qg-GateCharge

50 nC

Qg-栅极电荷

50 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

750 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

750 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

20 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1370pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

750 毫欧 @ 4.5A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-4117-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF64683?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

55 ns

功率-最大值

115W

包装

管件

单位重量

1.438 g

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

7.8 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

系列

STP10NK60Z

通道模式

Enhancement

配用

/product-detail/zh/STEVAL-ISA032V1/497-6416-ND/1786217

配置

Single

推荐商品

型号:IRF9630SPBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFH7110TRPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FQP12P10

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:CSD18532Q5BT

品牌:Texas Instruments

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NVMFS5885NLWFT1G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NTB4302T4

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NTY100N10

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFL024Z

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
STP10NK60Z 相关产品

SI2301-TP

品牌:Micro Commercial Co

价格:¥0.26-¥0.34

IRF7424PBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

ZVP4424GTA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

AO4260

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

IRFL9014TRPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRF2805SPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRF9335TRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:¥3.33-¥5.06

IRFBE30STRR

品牌:Vishay Siliconix

价格: