Datasheet下载- 型号： PSMN038-100K,518
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN038-100K,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN038-100K,518价格参考。NXP SemiconductorsPSMN038-100K,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN038-100K,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN038-100K,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN038-100K,518是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220AB封装，具有100V耐压、38A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型Rds(on)仅14.5mΩ（Vgs=10V）及低栅极电荷（Qg≈42nC），具备高效率与快速开关特性。 该器件适用于中高功率、中等频率的电源管理与功率控制场景，典型应用包括： ✅ 开关电源（SMPS）中的同步整流或主开关管（如AC-DC适配器、PC电源副边开关）； ✅ DC-DC转换器（如Buck/Boost拓扑）中的高侧或低侧开关，尤其适合12V–48V输入系统； ✅ 电机驱动电路（如直流有刷电机、步进电机的H桥下臂开关）； ✅ 电子负载、LED恒流驱动及电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关； ✅ 工业控制中的固态继电器（SSR）、电源热插拔（Hot-swap）及过流保护模块。 其逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1–2.2V，可被3.3V/5V MCU直接驱动）和稳健的雪崩耐量（UIS额定），提升了系统集成度与可靠性。需注意：实际使用中建议搭配合适散热设计（TO-220需外接散热器）及栅极驱动优化（如加装栅极电阻抑制振荡），以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 6.3A SOT96-1 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN038-100K,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 934056595518 |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.3A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
PSMN038-100K,518 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商