Datasheet下载- 型号： RUF015N02TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RUF015N02TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUF015N02TL价格参考￥1.58-￥4.96。ROHM SemiconductorRUF015N02TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RUF015N02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RUF015N02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RUF015N02TL 是由 Rohm Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：该 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)），适合用作开关元件，提高效率并降低功耗。 - DC-DC 转换器：在降压或升压电路中作为同步整流器或主开关使用，适用于高效能的电压转换场景。 - 负载开关：用于控制电路的供电路径，实现快速开启和关闭功能。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：可用于驱动玩具、家用电器中的小型电机，提供高效的开关和调速功能。 - H 桥电路：在双向电机控制中，作为 H 桥的一部分，实现正转、反转及制动功能。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池保护电路：用于锂离子电池或其他可充电电池组的过流、短路保护。 - 充放电控制：通过精确控制电流流动方向和大小，确保电池安全运行。 4. 信号切换 - 音频信号切换：在多路输入音频设备中，用于选择不同信号源而不会引入明显失真。 - 数据线路切换：如 USB 或其他通信接口的切换，保证低插入损耗和高可靠性。 5. 汽车电子 - LED 照明驱动：为汽车内部或外部 LED 灯提供稳定的电流驱动。 - 车载娱乐系统：应用于音频放大器或显示屏背光控制等场合。 - 传感器接口：为各种传感器提供电源或信号处理支持。 6. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器：在便携式电源适配器中作为功率级器件。 - 智能家居设备：如智能插座、灯泡等需要高效功率转换的产品。 RUF015N02TL 凭借其优良的电气特性和紧凑封装形式，在上述领域表现出色，特别适合对效率、散热性能以及空间限制要求较高的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUF015N02TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RUF015N02TL |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| Qg-GateCharge | 1.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TUMT3 |
| 其它名称 | RUF015N02TLCT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | TUMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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