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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN5L06WK-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN5L06WK-7价格参考。Diodes Inc.DMN5L06WK-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN5L06WK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN5L06WK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN5L06WK-7是一款P沟道增强型MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适合用于电源管理和负载开关等场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:在DC-DC转换器、电池充电器和稳压电路中作为高效开关元件,帮助提高系统能效并减少发热。 2. 负载开关:用于控制电源到外围设备(如USB接口、显示屏、电机等)的通断,实现快速开关和过流保护功能。 3. 便携式电子产品:常见于智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,用于电源路径管理,优化电池使用时间。 4. 工业控制系统:用于PLC、传感器模块和自动化设备中的信号切换与功率控制。 5. 汽车电子:适用于车载充电系统、LED照明控制及辅助设备的电源管理。 总之,DMN5L06WK-7凭借其高性能和小型封装,特别适合空间受限且对效率要求高的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3MOSFET N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
Id-连续漏极电流 | 300 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN5L06WK-7- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN5L06WK-7 |
PCN其它 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 250 mW |
Pd-功率耗散 | 250 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 50mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | DMN5L06WKDIDKR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-323-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 50V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 300mA (Ta) |
系列 | DMN5L06 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |