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Datasheet下载- 型号： IRF7739L2TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRF7739L2TR1PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7739L2TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7739L2TR1PBF价格参考。International RectifierIRF7739L2TR1PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 46A（Ta），375A（Tc） 3.8W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8。您可以下载IRF7739L2TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7739L2TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRF7739L2TR1PBF是一款单N沟道MOSFET，属于功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。该器件广泛应用于需要高效功率管理的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等，用于提高电源转换效率并减小电路体积。 2. 电机驱动：在电动工具、工业自动化和机器人系统中，作为电机控制电路中的开关元件，实现高效能和快速响应。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统和便携式设备中，实现对电池充放电的高效控制与保护。 4. 消费电子产品：如笔记本电脑、平板和游戏设备中的电源管理模块，提供高效、稳定的功率控制。 5. 工业控制系统：在PLC、传感器模块和自动化设备中，用于驱动继电器、LED灯或其他负载。 该MOSFET采用TSON封装，适合表面贴装，便于自动化生产，适用于高密度和高可靠性要求的设计。其低导通电阻（Rds(on)）可减少导通损耗，提高整体系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFETMOSFET 40V 270A 1.0mOhm 220nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 270 A |
| Id-连续漏极电流 | 270 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7739L2TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7739L2TR1PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 220 nC |
| Qg-栅极电荷 | 220 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 700 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 700 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 71 ns |
| 下降时间 | 42 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 330nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 毫欧 @ 160A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET L8 |
| 其它名称 | IRF7739L2TR1PBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等距 L8 |
| 封装/箱体 | DirectFET-15 L8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 280 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 46A （Ta）， 375A （Tc） |
| 配置 | Single Dual Drain Octal Source |
