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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 IRF9Z24STRLPBF 是一款P沟道MOSFET,属于单MOSFET晶体管,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括电源管理、负载开关、逆变电路和DC-DC转换器等。由于具备低导通电阻(RDS(on))和高效率特性,该器件特别适合用于电池供电设备,如便携式电子产品(智能手机、平板电脑、移动电源等),以降低功耗并提升能效。 IRF9Z24STRLPBF常用于极性保护电路中,防止电源反接损坏系统,也适用于电机驱动和继电器驱动中的开关控制。其SMD封装(如PowerPAK SO-8)有助于节省PCB空间,适合高密度组装的现代电子设备。此外,在消费类电子、工业控制和汽车电子辅助系统中也有广泛应用,尤其在需要高可靠性和稳定性能的环境中表现优异。 该型号符合RoHS标准,无铅环保,适用于自动化贴片生产。总体而言,IRF9Z24STRLPBF是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,适用于多种中低功率开关场景,尤其适合对空间和能效有要求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF9Z24STRLPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 280 毫欧 @ 6.6A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |