Datasheet下载- 型号： TJ30S06M3L(T6L1,NQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TJ30S06M3L(T6L1,NQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TJ30S06M3L(T6L1,NQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TJ30S06M3L(T6L1,NQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TJ30S06M3L(T6L1,NQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TJ30S06M3L(T6L1,NQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为TJ30S06M3L(T6L1,NQ的半导体产品属于东芝（Toshiba Semiconductor and Storage）品牌的晶体管类别，具体为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单一配置。该器件通常用于需要高效能与稳定性的电子电路中。 此MOSFET的应用场景主要包括： 1. 电源管理：适用于开关电源、DC-DC转换器等，能够实现高效的电能转换。 2. 电机控制：常用于小型电机或风扇的驱动电路中，提供可靠的开关控制。 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关使用，控制电源对负载的供应。 4. 电池供电设备：由于其较低的导通电阻和良好的能效表现，适合用于笔记本电脑、移动设备等便携式电子产品中。 5. 工业自动化：在PLC、传感器模块及其他工业控制系统中，用于信号切换或功率控制。 总之，TJ30S06M3L(T6L1,NQ是一款通用型功率MOSFET，适用于多种需要中等功率控制和高效能设计的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ30S06M3L点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3950pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK+ |
| 其它名称 | TJ30S06M3L(T6L1NQ |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta） |
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