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Datasheet下载- 型号： IRFB11N50APBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB11N50APBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB11N50APBF价格参考。VishayIRFB11N50APBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFB11N50APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB11N50APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFB11N50APBF是一款单个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 IRFB11N50APBF常用于开关电源（SMPS）的设计中，作为主开关管或同步整流器。其500V的击穿电压使其能够承受较高的输入电压，适合于工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等高压应用。低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动 在电机控制领域，IRFB11N50APBF可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。它能够快速响应PWM（脉宽调制）信号，实现精确的速度控制和扭矩调节。此外，其高耐压特性使其适用于大功率电机驱动系统，如电动工具、家用电器和工业自动化设备。 3. 保护电路 该MOSFET还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流大小并控制MOSFET的导通状态，可以有效防止过载和短路对电路的损害。其快速开关速度和低导通电阻有助于提高保护电路的响应速度和可靠性。 4. 汽车电子 在汽车电子系统中，IRFB11N50APBF可用于启动电机、发电机控制、电池管理系统（BMS）等。由于其高可靠性和耐高温性能，能够在严苛的汽车环境中稳定工作。此外，它还适用于车载充电器、LED照明等应用。 5. 通信设备 在通信基站、服务器电源等高性能设备中，IRFB11N50APBF可用于功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换器中。其高效的开关特性和低损耗特性有助于提升系统的整体能效，降低散热需求。 总之，IRFB11N50APBF凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效、可靠电力转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 11A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 11 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFB11N50APBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91094点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | IRFB11N50APBFIRFB11N50APBF |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 520 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 520 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1423pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFB11N50APBF |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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