Datasheet下载- 型号： SPB70N10L
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPB70N10L由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPB70N10L价格参考。InfineonSPB70N10L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPB70N10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPB70N10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌（Infineon Technologies）型号为SPB70N10L的MOSFET，属于N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于多种电源管理和功率转换场景。 其典型应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效AC-DC电源转换电路中，提高能效并减小体积。 2. DC-DC转换器：在服务器、通信设备及工业控制系统中，作为高频率开关元件，实现高效的电压调节。 3. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中，提供快速开关和低损耗特性，适用于家电（如风扇、洗衣机）和工业自动化设备。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动工具、电动自行车及储能系统中，作为高侧或低侧开关，控制电池充放电路径。 5. 负载开关与电源管理：用于智能电源分配系统，实现对不同负载的高效控制与保护。 6. 照明系统：如LED驱动电源中，用于高频开关电源拓扑，提升效率与稳定性。 该MOSFET具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，适合在中高功率应用中使用，尤其适合对效率和散热有较高要求的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPP_B_I70N10L.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42a7a504361&fileId=db3a304412b407950112b42a7ac34362 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SPB70N10L |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 2mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4540pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | P-TO263-3 |
| 其它名称 | SP000012079 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tc） |
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