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  • 型号: STFI260N6F6
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STFI260N6F6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFI260N6F6价格参考。STMicroelectronicsSTFI260N6F6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STFI260N6F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFI260N6F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFPMOSFET N-channel 60 V 00024 ASTripFET Pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STFI260N6F6DeepGATE™, STripFET™ VI

mouser_ship_limit

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产品型号

STFI260N6F6

Pd-PowerDissipation

41.7 W

Pd-功率耗散

41.7 W

Qg-GateCharge

183 nC

Qg-栅极电荷

183 nC

RdsOn-漏源导通电阻

3 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

165 ns

下降时间

62.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

183nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 毫欧 @ 60A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAKFP (281)

其它名称

497-14194-5

典型关闭延迟时间

144.4 ns

功率-最大值

41.7W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

3 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3 整包, I²Pak

封装/箱体

I2PAKFP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

80 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

STFI260N6F6

配置

Single

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