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产品简介:
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NTB75N06L 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于各类电力电子设备中。其主要特点包括低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性,适合中高功率应用。 应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中的高频开关元件,提高转换效率。 2. 电机控制:在电动工具、电动车、工业电机驱动中作为功率开关,控制电机启停与调速。 3. 负载开关:用于电源管理系统中控制电池供电设备的通断,如笔记本电脑、平板等便携设备。 4. 逆变器系统:应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中,实现直流到交流的电能转换。 5. 汽车电子:用于车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等场景,满足汽车环境对可靠性的要求。 6. 工业自动化:作为功率开关用于PLC、工业继电器替代、传感器供电控制等场合。 该器件采用TO-220封装,便于散热和安装,适用于需要高效能与稳定性的各类应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB75N06L |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 37.5A,5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Ta) |