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IRF520PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF520PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF520PBF价格参考。VishayIRF520PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF520PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF520PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRF520PBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 IRF520PBF 常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。它可以在高频条件下高效地切换电流,从而提高电源的转换效率。由于其低导通电阻(Rds(on)),在导通状态下损耗较小,适合用于低压、大电流的应用场景。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机或步进电机。通过 PWM(脉宽调制)控制,可以调节电机的速度和扭矩。IRF520PBF 的快速开关特性使其能够在高频率下稳定工作,减少电磁干扰(EMI)。 3. 音频放大器 在一些线性音频放大器设计中,IRF520PBF 可作为输出级的功率器件。它能够提供足够的电流驱动扬声器,并且具有良好的线性度,确保音频信号的保真度。 4. 电池管理系统 IRF520PBF 可用于电池充电和放电保护电路中。它可以通过检测电池电压和电流来控制充电和放电过程,防止过充、过放以及短路等问题。其低导通电阻有助于减少发热,延长电池寿命。 5. 继电器替代 在某些应用中,IRF520PBF 可以替代传统的机械继电器。与继电器相比,MOSFET 具有更快的响应速度、更长的使用寿命以及更低的功耗。它可以用于控制负载的通断,如灯具、风扇等。 6. LED 驱动 IRF520PBF 还适用于 LED 驱动电路,特别是在需要高亮度和高效率的情况下。通过 PWM 控制,可以实现 LED 的亮度调节,并且其低导通电阻有助于减少发热,提高系统的可靠性。 总之,IRF520PBF 凭借其出色的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、音频放大、电池管理等多个领域都有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF520PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF520PBFIRF520PBF |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 5.5A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF520PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 功率耗散 | 60 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 270 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 9.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.2A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |