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FQPF3N80C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF3N80C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF3N80C价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF3N80C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 39W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF3N80C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF3N80C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF3N80C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) FQPF3N80C 的高电压耐受能力(高达 800V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 转换器、直流-直流转换器等。它能够高效地控制和调节电压输出。 2. 电机驱动 在工业自动化和家电领域,该 MOSFET 可用于驱动中小型电机。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高效率,适用于各种电机控制场景,如风扇、泵或伺服电机。 3. 逆变器电路 FQPF3N80C 广泛应用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中。它可以将直流电转换为交流电,满足可再生能源系统的需求。 4. 电磁阀和继电器驱动 在需要控制电磁阀或继电器的应用中,这款 MOSFET 可以作为高效的开关元件。它的快速开关速度和低功耗特性非常适合这些场景。 5. 负载切换 该器件可用于高电压负载的切换控制,例如汽车电子设备、照明系统或工业设备中的负载管理。 6. PFC(功率因数校正)电路 在需要功率因数校正的设备中,FQPF3N80C 可以用作主开关元件,帮助改善输入电流波形,提高系统的整体效率。 7. 保护电路 它还可以用于过流保护、短路保护等安全相关电路中,确保系统的稳定性和可靠性。 总结来说,FQPF3N80C 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要处理高电压和中等电流的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF3N80CQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF3N80C |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 43.5 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 705pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 22.5 ns |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Tc) |
| 系列 | FQPF3N80C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQPF3N80C_NL |