Datasheet下载- 型号： IRFR13N20DTRL
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DTRL由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DTRL价格参考。International RectifierIRFR13N20DTRL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR13N20DTRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR13N20DTRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFR13N20DTRL的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。以下是其典型应用场景： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，适用于中高功率的开关电源设计，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提高转换效率。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）或步进电机控制电路中，该MOSFET可作为主开关元件，提供稳定且高效的功率控制。 3. 负载开关与电源管理：用于智能电源管理系统中的负载开关控制，如服务器、工业计算机、电池管理系统等，具备良好的热稳定性和过载保护能力。 4. 照明系统：包括LED照明驱动电路，适用于需要调光和高效能转换的场合。 5. 汽车电子：由于英飞凌在汽车半导体领域具有优势，该器件也可用于车载电源系统、车灯控制、电动助力转向系统等应用场景。 该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装，适合表面贴装工艺，广泛应用于工业控制、消费电子及汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR13N20DTRL |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 235 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr13n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr13n20d.spi |
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