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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SSM3K01T(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K01T(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K01T(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K01T(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3K01T(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3K01T(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM3K01T(TE85L,F)是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23），具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，适用于空间受限的便携式电子设备。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现低功耗待机与快速响应。 2. 信号切换：在通信模块或音频电路中作为模拟开关，控制信号通路的导通与关断。 3. 电机驱动与LED控制：适用于小型直流电机驱动或LED背光调光电路，提供高效、稳定的电流控制。 4. 保护电路：用于过流或反向电压保护设计，提升系统可靠性。 由于其P沟道特性，SSM3K01T在栅极加负压时导通，简化了驱动电路设计，特别适合低电压（如3.3V或5V）逻辑控制环境。同时，小封装形式有利于高密度PCB布局，广泛应用于消费类电子、工业控制及物联网终端设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TSM S-MOS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K01T |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM3K01T(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 152pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120毫欧 @ 1.6A， 4V |
| 供应商器件封装 | TSM |
| 其它名称 | SSM3K01T(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
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