Datasheet下载- 型号： NTJS3157NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJS3157NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJS3157NT4G价格参考。ON SemiconductorNTJS3157NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTJS3157NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJS3157NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTJS3157NT4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单N沟道增强型MOSFET，常用于以下应用场景： 该MOSFET适用于电源管理和开关电路，如DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效能开关应用。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。 此外，NTJS3157NT4G也广泛应用于电机控制、继电器驱动及LED照明等需要快速开关性能的场合。由于其具备较高的工作电压和良好的热稳定性，因此在工业自动化设备和汽车电子中也有较多使用，例如车载充电系统、电机驱动模块等。 该器件采用TSOP封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，适用于便携式电子产品和嵌入式系统中的电源管理模块。 总结来说，NTJS3157NT4G 主要应用于电源管理、电机控制、LED照明、工业自动化及汽车电子等领域，具有高效、节能、稳定等优点。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTJS3157NT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 400mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
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