Datasheet下载- 型号： SIR466DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR466DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR466DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR466DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR466DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR466DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR466DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于开关电源中的降压或升压转换，提供高效的功率转换。 - 负载开关：控制电路的通断，降低功耗并保护电路。 - 电池管理系统：在电池充电和放电过程中进行电流控制和保护。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，控制电机的启停、转向和速度。 - 在H桥或半桥电路中作为开关元件使用。 3. 信号切换 - 用于音频信号切换、传感器信号切换等场景，实现低噪声、高可靠性的信号传输。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，检测异常电流并切断电路。 - 短路保护：快速响应短路情况，保护后端电路。 5. 便携式设备 - 应用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的电源管理模块，提供高效的小型化解决方案。 6. 汽车电子 - 用于车载电子系统中的负载控制，例如车窗升降、座椅调节、LED照明等。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.7mΩ（@Vgs=10V），减少功率损耗。 - 高电流能力：支持高达93A的连续漏极电流（脉冲电流更高），适合大功率应用。 - 小型封装：采用TO-252(DPAK)封装，节省空间，适合紧凑设计。 - 高可靠性：符合工业级标准，能够在严苛环境下稳定工作。 综上，SIR466DP-T1-GE3凭借其高性能和可靠性，成为许多功率管理和信号处理应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8MOSFET 30V 40A 54W 3.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR466DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR466DP-T1-GE3SIR466DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 54 W |
| Pd-功率耗散 | 54 W |
| Qg-GateCharge | 21.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2730pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR466DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 54W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 65 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SIR466DP-GE3 |
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