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  • 型号: IRFR9014NTR
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9014NTR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9014NTR价格参考。VishayIRFR9014NTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR9014NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR9014NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFR9014NTR 是 Vishay Siliconix(威世科技)生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高可靠性及适用于中低功率电路。

该器件的典型应用场景包括:

1. 电源管理系统:用于电池供电设备中的电源切换和负载管理,如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备。

2. DC-DC 转换器:在同步整流电路中作为高边开关使用,提高转换效率。

3. 负载开关:用于控制电源到负载的通断,如电机、LED 灯或外围设备的供电控制。

4. 逆变器与电源逆变系统:在低功率逆变电路中实现电流方向切换。

5. 汽车电子:用于车载电源系统、车灯控制或电池管理系统中。

该 MOSFET 采用 8 引脚表面贴装封装(如 SOIC),便于自动化生产和散热设计,适合中高密度 PCB 布局。其性能稳定,广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91277

产品图片

产品型号

IRFR9014NTR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

270pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

500 毫欧 @ 3.1A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.1A (Tc)

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