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Datasheet下载- 型号： SUP85N15-21-E3
- 制造商： Vishay
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SUP85N15-21-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP85N15-21-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP85N15-21-E3价格参考。VishaySUP85N15-21-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 150V 85A（Tc） 2.4W（Ta），300W（Tc） TO-220AB。您可以下载SUP85N15-21-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUP85N15-21-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUP85N15-21-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的各类电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等电源模块中，以提高转换效率并减小系统体积。 2. 电机驱动：适用于直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路，提供快速开关和低损耗性能。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路，作为高效率开关元件，保障电池安全运行。 4. 汽车电子：广泛应用于车载电源系统、车身控制模块、LED 照明驱动等场景，符合汽车级可靠性要求。 5. 工业自动化：用于工业控制设备中的功率开关、继电器替代、PLC 输出模块等，提升系统响应速度与稳定性。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电源管理、高功率 USB 充电设备等，满足高效率与小型化需求。 该 MOSFET 采用表面贴装封装，便于自动化生产和散热设计，适合高频开关应用，是多种功率电子系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 85A TO220ABMOSFET 150V 85A 300W 21mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 85 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP85N15-21-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUP85N15-21-E3SUP85N15-21-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 170 ns |
| 下降时间 | 170 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | SUP85N15-21-E3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 21 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 85 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 85A （Tc） |
| 系列 | SUx85Nxx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
